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VBE1303 产品详细

产品简介:

该产品是单N沟道MOSFET,VBE1303适用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。

具有以下主要参数:
- 最大漏极-源极电压(VDS): 30V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 3mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(RDS(on)): 2mΩ
- 最大漏极电流(ID): 100A
- 技术特点: 沟道型

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产品参数:

产品型号: VBE1303
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- RDS(on) VGS=4.5V(mΩ): 3
- RDS(on) VGS=10V(mΩ): 2
- ID (A): 100
- Technology: Trench
封装: TO252

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块中的应用示例:

1. 电源管理模块:
- 直流稳压电源:用于工业自动化设备和通信基站等领域的电源管理和稳压输出,确保设备的稳定运行。
- 大功率LED驱动器:用于室内照明和户外广告灯箱等场合的LED照明系统,提供高效的光源驱动和亮度控制。

2. 电动汽车充电桩模块:
- 快速充电桩控制器:用于电动汽车快速充电桩的电源管理和充电控制,实现高功率充电和快速充电服务。
- 公共充电站设备:用于城市公共充电站的电能转换和供应管理,为电动汽车提供便捷的充电服务。

3. 太阳能逆变器模块:
- 小型家用太阳能逆变器:用于家庭太阳能发电系统的电能转换和输出控制,将太阳能转化为可用电能供应家庭设备。
- 农村电力供应系统:用于偏远地区和农村地区的太阳能电力供应系统,为当地居民提供稳定的电力供应。

VBE1303具有高性能、低损耗和稳定性的特点,适用于各种需要高功率和高频率控制的场合,能够满足电源管理、电动汽车和太阳能等领域的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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