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VBE1154N 产品详细

产品简介:

VBE1154N是一款单N型的Trench技术MOSFET,具有150V的漏极-源极电压(VDS),±20V的门极-源极电压(VGS),3V的阈值电压(Vth),以及32毫欧的导通电阻。它能够承受最大40安培的漏极电流(ID)。该器件采用TO252封装。

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产品参数:

型号: VBE1154N
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: 单N型
- VDS(V): 150
- VGS(±V): ±20
- 阈值电压(V): 3
- VGS=10V时的导通电阻(毫欧): 32
- 最大漏极电流(ID) (安培): 40
- 技术: Trench
封装: TO252

领域和模块应用:

**应用简介:**
1. **电源管理**: 由于VBE1154N具有较低的漏极电流和适中的导通电阻,适用于轻载的电源管理应用,例如电源转换器和电源开关模块。

2. **消费电子**: 在消费电子产品中,该器件可用于手机充电器、笔记本电脑适配器等电源模块,以实现高效率和紧凑型设计。

3. **LED驱动**: 由于其较低的漏极电流和适中的导通电阻,VBE1154N可用于LED驱动电路中的功率开关模块,确保LED灯具的高效率和长寿命。

4. **医疗设备**: 在医疗设备中,该器件可用于医疗成像设备、电动手术器械等模块中的功率管理和控制,确保设备的可靠性和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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