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VB2610N 产品详细
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参数
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产品简介:
VB2610N是VBsemi品牌的单P型场效应晶体管,具有小巧、低功耗的特点,在各种便携式电子产品、传感器接口和医疗器械等模块中都具有广泛的应用前景,能够为不同领域的电子设备提供高效、可靠的性能支持。
该产品采用SOT23-3封装。
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产品参数:
参数:
最大漏极-源极电压(VDS)为-60V,
最大门源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。
在门源电压为4.5V时,漏极-源极电阻为85mΩ;在门源电压为10V时,漏极-源极电阻为70mΩ。
其最大漏极电流(ID)为-4.5A,采用沟槽工艺(Trench)。
领域和模块应用:
VB2610N晶体管适用于多种领域和模块。例如,
在电源管理模块中,它可以用于电池管理系统、DC-DC转换器和电源开关。
由于其小型封装和低功耗特性,该晶体管特别适合用于便携式电子产品的电源管理和功率控制。
在传感器接口模块中,它可用于传感器信号调理和数据采集。
此外,在医疗器械模块中,它可用于医疗设备的电源管理和信号放大。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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