1N90G-TA3-T-VB - VBsemi MOS管制造商

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VBsemi的1N90G-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，具有高耐压和低导通电阻。采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种领域和模块的高性能应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	900V		3.5V	5A			1500mΩ	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	900V		3.5V	5A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	900V		3.5V	5A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N-Channel

### 详细参数说明：

- **包装**：TO220
- **结构**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：900V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：1500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

领域和模块应用：

### 应用示例：

1. **电源模块**：由于其高耐压和低导通电阻，1N90G-TA3-T-VB适用于高功率电源模块，能够提供稳定的电能转换。

2. **工业控制**：在工业控制设备中，这款MOSFET可以用于开关电源和电机驱动，提高系统的效率和可靠性。

3. **电动汽车充电器**：在电动汽车充电器中，这款MOSFET可以用于高效率的电能转换，提高充电速度。

4. **太阳能逆变器**：在太阳能电池系统中，这款MOSFET能够承受高压，适用于逆变器和电能调节模块。

5. **高压开关**：由于其高耐压特性，这款MOSFET可以用作高压开关，用于各种高压应用场景。

以上是1N90G-TA3-T-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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