1N80L-TA3-T-VB - VBsemi MOS管制造商

1N80L-TA3-T-VB 产品详细

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产品简介：

VBsemi 1N80L-TA3-T-VB TO220 MOSFET产品简介：

VBsemi的1N80L-TA3-T-VB TO220是一款TO220封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有850V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），2700mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及4A的漏极电流（ID）。采用Plannar技术。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	850V		3.5V	4A			2700mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	850V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	850V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N-Channel

1N80L-TA3-T-VB TO220详细参数说明：

- 封装：TO220
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：850V
- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：2700mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：4A
- 技术：Plannar

领域和模块应用：

产品应用领域和模块示例：

1. 电源逆变器：1N80L-TA3-T-VB TO220适用于电源逆变器中的功率开关电路，能够提供高效率的能量转换。

2. 高压电源管理：由于1N80L-TA3-T-VB TO220具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻，适用于高压电源管理模块中的功率开关电路。

3. 电动汽车充电桩：在电动汽车充电桩中，1N80L-TA3-T-VB TO220可以用于功率开关电路，提高充电效率。

4. 工业高压电源：在工业控制系统中需要高电压和适中电流的应用中，1N80L-TA3-T-VB TO220可以提供稳定可靠的性能。

以上是关于VBsemi 1N80L-TA3-T-VB TO220 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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