1N80G-TA3-T-VB - VBsemi MOS管制造商

1N80G-TA3-T-VB 产品详细

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产品简介：

**产品简介：**
1N80G-TA3-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有850V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。该器件采用了Plannar技术，适用于中高压应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	850V		3.5V	4A			2700mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	850V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	850V		3.5V	4A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N-Channel

**详细参数：**
- **VDS（漏极-源极电压）:** 850V
- **VGS（栅极-源极电压）:** 30V（±V）
- **阈值电压（Vth）:** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）:** 2700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）:** 4A
- **封装:** TO220
- **技术:** Plannar

领域和模块应用：

**适用领域和模块：**
1N80G-TA3-T-VB适用于中高压应用，包括但不限于：
1. **电源管理：** 用于中高压开关电源、逆变器和稳压器等模块中，以提供可靠的电能转换和控制。
2. **电机控制：** 用于中高压电机控制、工业机械和家用电器等领域中，以实现高效的电机控制和驱动。
3. **电源逆变器：** 用于太阳能逆变器、风能逆变器等模块中，以实现将直流能源转换为交流能源的控制。

总的来说，1N80G-TA3-T-VB MOSFET是一款适用于中高压应用的MOSFET，具有可靠的性能和广泛的应用领域。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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