1N65L-TA3-T-VB - VBsemi MOS管制造商

1N65L-TA3-T-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

### 产品简介

VBsemi的1N65L-TA3-T-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用Plannar技术制造，具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）为3900mΩ（在VGS=4.5V时）和3120mΩ（在VGS=10V时），最大漏极电流（ID）为2A。这使得1N65L-TA3-T-VB适用于低功率、低频率应用，如电源开关、低功率逆变器等。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	650V		3.5V	2A		3900mΩ	3120mΩ	Plannar

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	650V		3.5V	2A		Plannar

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N-Channel

### 详细参数说明

- **Package**：TO220
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：650V
- **VGS**：30V（±）
- **Vth**：3.5V
- **RDS(ON)**：3900mΩ @ VGS=4.5V；3120mΩ @ VGS=10V
- **ID**：2A
- **Technology**：Plannar

领域和模块应用：

### 适用领域和模块示例

1N65L-TA3-T-VB适用于低功率、低频率应用，包括但不限于：

1. **电源开关**：由于其低漏极-源极导通电阻和低功率特性，1N65L-TA3-T-VB可用于低功率电源开关，如电视机、音响设备等。

2. **低功率逆变器**：在需要低功率逆变器的应用中，如家用电器、小型电动车等，1N65L-TA3-T-VB可以实现简单而有效的逆变控制。

3. **电动工具**：在需要低功率、高效率的电动工具中，1N65L-TA3-T-VB可以用作电机驱动器的开关器件，提供高效的能量转换。

4. **LED照明**：由于其低功率特性，1N65L-TA3-T-VB适用于低功率LED照明驱动器和其他低功率照明应用。

总之，1N65L-TA3-T-VB是一款低功率、低频率应用的MOSFET，适用于各种低功率领域和模块。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

1N65L-TA3-T-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶