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114N12N-VB 产品详细

产品简介:

## 产品简介:

VBsemi的MOSFET产品114N12N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有100V的漏极-源极电压(VDS)和100A的漏极电流(ID)能力。该产品在TO220封装中提供,适用于需要高性能的功率电子应用。



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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N-Channel 100V 2.5V 100A 20mΩ 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N-Channel 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N-Channel 100V 2.5V 100A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N-Channel
## 参数说明:

- 封装:TO220
- 构型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):100V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):20mΩ @ VGS=4.5V;9mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):100A
- 技术:Trench

领域和模块应用:

## 应用领域和模块:

1. **电源模块**:114N12N-VB的低导通电阻和高漏极电流使其非常适合用于开关电源模块,如DC-DC转换器和AC-DC变换器。

2. **电动工具**:由于其高漏极电流和低导通电阻,114N12N-VB可以用于电动工具,如电钻、电锤等,提供高效率和可靠性。

3. **电动汽车**:作为电动汽车中的功率开关器件,114N12N-VB可以用于控制电机和电池管理系统,支持高功率密度和能效。

4. **工业自动化**:在工业自动化设备中,114N12N-VB可用于电机控制、电源管理和逆变器等模块,提供稳定的电力输出。

5. **照明应用**:114N12N-VB适用于LED驱动器和其他照明电源,能够提供高效的功率转换和可靠性。

以上是对114N12N-VB MOSFET产品的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的介绍。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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