产品简介：
100N3LLH7-VB 是一款 DFNN8(5X6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数：
- VDS（漏极-源极电压）：30V
- VGS（栅极-源极电压）：±20V
- Vth（阈值电压）：1.7V
- RDS(ON)（导通电阻）：在 VGS=4.5V 时为5mΩ，在 VGS=10V 时为3mΩ
- ID（漏极电流）：120A
- 技术：沟道技术
该型号的产品简介详细说明如下：
100N3LLH7-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。其 DFNN8(5X6) 封装使其适用于各种环境条件下的工作，并具有良好的散热性能。通过沟道技术，该器件具有低导通电阻和高漏极电流的特性，可提供高效的功率转换和可靠的性能。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N-Channel |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
5mΩ |
3mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N-Channel |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N-Channel |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(5X6) |
Single-N-Channel |
|
|
|
|
|
|
|
以下是该型号的详细参数说明：
1. **VDS（漏极-源极电压）**：30V，表示器件可以承受的最大漏极-源极电压。
2. **VGS（栅极-源极电压）**：±20V，表示栅极与源极之间的电压范围。
3. **Vth（阈值电压）**：1.7V，表示栅极-源极之间的电压，使器件开始导通。
4. **RDS(ON)（导通电阻）**：在 VGS=4.5V 时为5mΩ，在 VGS=10V 时为3mΩ，表示器件导通时的电阻大小，影响功率损耗。
5. **ID（漏极电流）**：120A，表示器件可以承受的最大漏极电流，直接影响器件的功率处理能力。
6. **技术**：沟道技术，采用了先进的沟道设计，使得器件具有更低的导通电阻和更高的效率。
领域和模块应用：
该产品适用于以下领域和模块：
- **电源管理模块**：由于其高漏极电流和低导通电阻，适用于功率放大器、开关模块等电源管理模块。
- **电动车辆**：可用于电动车辆的电池管理系统、电机驱动系统等模块，提供高效能的功率转换。
- **工业控制**：适用于各种工业控制系统中的开关电路、电机驱动等模块，提供可靠的功率控制。
请注意，以上只是一些常见的应用领域，具体应用取决于实际设计需求和环境。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面.png)
