093N06N-VB TO220 - VBsemi MOS管制造商

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093N06N-VB是VBsemi推出的TO220封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明：

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	60V		1.7V	60A		13mΩ	11mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	60V		1.7V	60A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	60V		1.7V	60A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N-Channel

- **包装：** TO220
- **配置：** 单路N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 60V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 13mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 60A
- **技术：** Trench

领域和模块应用：

该产品适用于以下领域和模块：
1. **电源模块：** 由于其较高的漏极-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）能力，适用于电源模块的开关和控制。
2. **电机驱动模块：** 可用于电机驱动模块中的开关和控制，具有较低的导通电阻和较高的电流能力。
3. **LED照明模块：** 作为LED照明模块的开关元件，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压能力。
4. **电动车充电模块：** 适用于电动车的充电模块，能够承受较高的电压和电流。
5. **电源管理模块：** 用于电源管理模块中的开关和控制，具有良好的稳定性和可靠性。

以上是093N06N-VB MOSFET产品的详细介绍和应用领域说明。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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