076N06N-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

### 产品简介：
VBsemi的076N06N-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装。该器件工作电压（VDS）为60V，最大允许门源电压（VGS）为20V（绝对值），阈值电压（Vth）为3V。在VGS为10V时，导通电阻（RDS(ON)）为5mΩ，最大漏极电流（ID）为30A。采用了Trench工艺，具有优异的性能和可靠性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	60V		3V	30A			5mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	60V		3V	30A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	60V		3V	30A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N-Channel

### 参数说明：
- **封装类型**：DFN8(3X3)
- **通道类型**：单N沟道
- **工作电压（VDS）**：60V
- **最大允许门源电压（VGS）**：20V（绝对值）
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：Trench

领域和模块应用：

### 应用领域和模块示例：
1. **电源模块**：076N06N-VB适用于中功率电源模块，如电源开关和DC-DC转换器，在这些模块中，其低导通电阻和中等漏极电流能力能够提供高效的能量转换。
2. **电动工具**：在电动工具中，这种MOSFET可用于电机控制器，确保高效的电力输出和控制。
3. **汽车电子**：在汽车电子系统中，这种MOSFET可用于车灯控制、电池管理系统等应用，提供可靠的功率控制和管理。
4. **消费电子**：在消费电子产品中，这种MOSFET可用于电源管理和功率控制，如笔记本电脑、平板电脑等设备。

这些只是一些示例，实际应用取决于具体设计和系统要求。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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