067N06L-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

### 产品简介：

VBsemi的067N06L-VB是一款DFN8(3X3)封装的单通道N沟道MOSFET，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负）和3V的阈值电压（Vth）。该器件采用沟道工艺，具有在VGS=10V时RDS(ON)为5mΩ的低导通电阻。其最大漏极电流（ID）为30A。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	60V		3V	30A			5mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	60V		3V	30A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N-Channel	60V		3V	30A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N-Channel

### 参数说明：

- **器件类型**：单通道N沟道MOSFET
- **封装**：DFN8(3X3)
- **VDS（漏极-源极电压）**：60V
- **VGS（栅极-源极电压）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **工艺**：沟道

领域和模块应用：

### 适用领域和模块举例：

1. **电源管理模块**：由于其适中的漏极电压和低导通电阻，067N06L-VB适用于电源管理模块，如开关电源和直流-直流转换器，提供高效的电源控制。
2. **电池管理模块**：在需要较低电压和电流控制的电池管理系统中，这款MOSFET可用于充放电控制，如便携式电子设备和电动玩具。
3. **电机驱动模块**：在需要中等功率电机驱动的应用中，067N06L-VB可用于驱动各种电机，如工业设备和家用电器中的电机控制模块。
4. **LED照明模块**：在LED照明应用中，067N06L-VB可用于开关电源，控制LED的亮度和电流，实现节能和可调光效果。

以上是对067N06L-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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