060P03NS3E-VB - VBsemi MOS管制造商

060P03NS3E-VB 产品详细

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产品简介：

### 产品简介：

VBsemi的060P03NS3E-VB是一款DFN8(5X6)封装的单通道P沟道MOSFET，具有-30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负）和-3V的阈值电压（Vth）。该器件采用沟道工艺，具有在VGS=4.5V时RDS(ON)为6mΩ和在VGS=10V时RDS(ON)为4mΩ的低导通电阻。其最大漏极电流（ID）为-120A，表示为负数表示流向。这种MOSFET是P沟道类型的，所以在工作时需要注意其负向电压。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-P-Channel	-30V		-3V	-120A		6mΩ	4mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-P-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-P-Channel	-30V		-3V	-120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-P-Channel	-30V		-3V	-120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-P-Channel

### 参数说明：

- **器件类型**：单通道P沟道MOSFET
- **封装**：DFN8(5X6)
- **VDS（漏极-源极电压）**：-30V
- **VGS（栅极-源极电压）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：6mΩ @ VGS=4.5V, 4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：-120A
- **工艺**：沟道

领域和模块应用：

### 适用领域和模块举例：

1. **电源逆变器模块**：由于其负向漏极电压和低导通电阻，060P03NS3E-VB适用于电源逆变器模块，如各种类型的逆变器和开关电源，提供高效的电源控制。
2. **电动汽车充电模块**：在电动汽车充电系统中，这款MOSFET可用于控制充电桩的电能输出，实现高效、安全的电动汽车充电。
3. **电源开关模块**：作为电源开关器件，该MOSFET可用于各种电源开关应用，如开关电源和电源管理系统，实现高效的电源控制和管理。
4. **LED照明驱动模块**：在LED照明驱动应用中，060P03NS3E-VB可用于开关电源，控制LED的亮度和电流，实现节能和可调光效果。

以上是对060P03NS3E-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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