05N03L-VB TO220 - VBsemi MOS管制造商

05N03L-VB TO220 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

以下是关于VBsemi的MOSFET产品05N03L-VB的详细信息：

1. 产品简介：
- 型号：05N03L-VB
- 封装：TO220
- 构造：单N沟道
- 额定漏极-源极电压（VDS）：30V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：20V（±）
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：在VGS=4.5V时为4mΩ，在VGS=10V时为3mΩ
- 连续漏极电流（ID）：120A
- 工艺：沟槽

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N-Channel	30V		1.7V	120A		4mΩ	3mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N-Channel	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N-Channel	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
TO220	Single-N-Channel

2. 参数说明：
- VDS：30V是该MOSFET的最大漏极-源极电压，超过这个电压可能导致器件损坏。
- VGS：20V（±）是该MOSFET的最大栅极-源极电压范围，超过这个范围可能导致器件损坏。
- Vth：1.7V是该MOSFET的阈值电压，即当栅极电压高于1.7V时，MOSFET开始导通。
- RDS(ON)：在VGS=4.5V时为4mΩ，在VGS=10V时为3mΩ，这表示在不同栅极电压下，MOSFET的静态漏极-源极电阻不同。
- ID：120A是该MOSFET的最大连续漏极电流，超过这个电流可能导致器件过热损坏。

领域和模块应用：

3. 应用领域和模块示例：
- 电源模块：由于05N03L-VB 具有较低的漏极-源极电阻和较高的漏极电流能力，适用于高性能电源模块，如服务器电源和通信设备电源。
- 汽车电子系统：可用于汽车电子系统中的DC-DC转换器和电池管理系统，由于其高电流能力和低导通电阻，提供高效的电能转换和管理。
- 工业控制模块：由于其高电压和电流能力，适用于工业控制系统中的开关控制器和逆变器，确保系统的稳定性和高效运行。

请注意，以上示例仅用于说明该MOSFET可能的应用领域和模块，实际应用需根据具体设计要求进行评估。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

05N03L-VB TO220 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶