| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+N | 20V | 0.5~1.5V | 0.6A | 350（mΩ） | 300(mΩ) | Trench |
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | VCEsat15V | ICE | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+N | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+N | 20V | 0.5~1.5V | 0.6A | Trench |
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds6 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+N | 20V | 0.5~1.5V | 0.6A | Trench |
| VB Package | Polarity | Vz / VR | Pd | VF | IF | IR | Cd | Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+N |
型号：FDY3000NZ-VB
丝印：VBTA3230NS
品牌：VBsemi
参数说明：
- **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。
- **工作电压（VDS）：** ±20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。
- **持续电流（ID）：** 0.2A，表示MOSFET可以承受的最大电流。
- **导通电阻（RDS(ON))：** 300mΩ @ 4.5V，350mΩ @ 2.5V，±20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。
- **阈值电压（Vth)：** 0.3V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。
- **封装：** SC75-6，这是一种小型表面贴装封装。
这种双N沟道MOSFET适用于多种低功率电子应用，包括但不限于：
1. **电源开关：** 用于低功率电源开关电路，如小型DC-DC转换器和电源管理单元。
2. **电池保护：** 用于小型电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。
3. **信号开关：** 用于小型信号开关电路，如信号放大器、音频放大器和小型传感器接口。
4. **LED驱动器：** 用于低功率LED照明应用，以实现高效的LED灯光控制。
5. **便携式设备：** 在小型便携式电子设备中，如智能手表、耳机和传感器模块中，用于电源管理和信号开关。
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