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SSM3J36FS-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
SSM3J36FS-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和小型化应用中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-3 Single-P -20V ±12V -0.6V -0.55A 500(mΩ) 450(mΩ) Trench
型号:SSM3J36FS-VB
丝印:VBTA2245N
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:SC75-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电压(Vds):-20V
- 最大漏极电流(Id):-0.4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):450mΩ @ VGS=4.5V, ;
VGS=±12V;
- 阈值电压(Vth):-0.45V

封装:SC75-3

领域和模块应用:

领域模块应用:
1. **电源管理模块:** 适用于电源管理电路,例如低功耗开关电源、便携式电源等,以实现高效的功率转换和能量管理。

2. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。

3. **信号开关模块:** 在一些需要模拟开关功能的电路设计中,如信号开关、模拟开关电源等。

4. **小型化设备:** 由于其小型封装和低功耗特性,适用于小型化设备设计,如便携式电子设备、传感器节点等。

5. **模拟电路:** 在一些需要P-Channel MOSFET的模拟电路中,SSM3J36FS-VB可用于实现高性能的模拟信号处理。

请注意,以上是一些典型的应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成SSM3J36FS-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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