产品简介：
**应用简介：**
VBsemi CSD17308Q3-VB 是一款DFN8(3X3)封装的N—Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率、低导通电阻的功率开关应用。
**作用：**
- 提供高电流和低导通电阻的功率开关控制。
- 用于驱动和控制电源、电机等高功率模块。
**使用注意事项：**
1. **电压等级：** 在规定的电压范围内使用，不要超过产品标称的最大漏极-源极电压。
2. **电流负载：** 注意电流负载不要超过产品的额定电流。
3. **工作温度：** 在规定的工作温度范围内使用，避免超温操作。
以上信息仅为参考，实际使用时请仔细阅读产品手册和规格书，确保正确使用，并遵循厂商的建议和注意事项。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
30A |
|
19(mΩ) |
13(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
30A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
30A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| DFN8(3X3) |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
**VBsemi CSD17308Q3-VB 产品详细参数说明：**
- **丝印标识：** VBQF1310
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** DFN8(3X3)
- **通道类型：** 2个N—Channel沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **漏极-源极电流（ID）：** 40A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 11mΩ @ VGS=10V, VGS=±20V
- **阈值电压（Vth）：** 2.3V
领域和模块应用：
**主要应用领域和模块：**
1. **电源模块：** 适用于直流-直流（DC-DC）变换器、电源开关控制等。
2. **电机驱动模块：** 可用于电机驱动模块，提供高电流和低导通电阻的特性。
3. **电源开关模块：** 在高功率电源开关模块中发挥关键作用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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