产品简介：
**主要参数:**
- **沟道类型:** N-Channel
- **最大耐压:** 60V
- **最大电流:** 60A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 11mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.9V
**应用简介:**
这款 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）适用于多种领域的电子模块，特别是在需要控制电流的场合。
请注意，具体的应用取决于设计需求和电路要求。在集成电路设计和电子产品制造中，工程师们会根据具体的技术规格和性能要求选择合适的元器件。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
60A |
|
13(mΩ) |
11(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
60V |
|
1.7V |
60A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
|
|
型号: FQP85N06-VB
丝印: VBM1615
品牌: VBsemi
参数: TO-220; N-Channel沟道, 60V; 60A; RDS(ON)=11mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V; Vth=1.9V;
封装: TO-220
详细参数说明和应用简介:
- **型号:** FQP85N06-VB
- **丝印:** VBM1615
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO-220
领域和模块应用：
以下是一些可能的应用领域：
1. **电源模块:** 由于其较低的导通电阻和高电流承载能力，它可以用于电源开关，提高效率并降低功耗。
2. **电机驱动:** 在电机控制模块中，它可以用作电机驱动器，帮助实现精确的电机控制。
3. **电源逆变器:** 用于电源逆变器，将直流电源转换为交流电源，常见于太阳能和电池应用中。
4. **电流控制模块:** 由于其 N-Channel 沟道类型，可用于电流控制和开关应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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