产品简介：
应用简介:
这款IRF530NPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和较大的电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。
IRF530NPBF MOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
|
127(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| TO220 |
Single-N |
100V |
|
1.8V |
18A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| TO220 |
Single-N |
|
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型号: IRF530NPBF
丝印: VBM1101M
品牌: VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 100V
- 额定电流(ID): 18A
- 开通电阻(RDS(ON)): 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): 2~4V
- 封装类型: TO220
领域和模块应用：
这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。
- 高功率电机控制模块：用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。
- 高压照明模块：适用于高压高功率照明驱动和控制模块。
- 高压工业控制模块：适用于高压工业控制系统的功率开关和控制模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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