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60T03H-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
60T03H-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在各种电子领域的模块中有广泛的应用。


60T03H-VB是一种高性能MOSFET,适用于多个领域的电子模块,提供高效能源管理和电流控制。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO252 Single-N 30V ±20V 1.7V 80A 6(mΩ) 5(mΩ) Trench
型号:60T03H-VB
丝印:VBE1307
品牌:VBsemi
参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:60A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V, 11mΩ@4.5V
- 门源极阈值电压(Vth):1.6V
- 门源极电压(±Vgs):±20V
- 封装类型:TO252

领域和模块应用:

应用领域:
1. 电源模块:60T03H-VB可以用于电源开关模块,以提供高效的电能转换和电压调节,适用于各种电子设备和电源系统。

2. 电机驱动:在电机控制模块中,它可以用于电机驱动电路,提供高电流能力和低损耗,适用于电动汽车、机器人和工业自动化。

3. 电池保护:60T03H-VB可用于电池保护电路,确保充电和放电过程中的高效性和安全性,适用于便携式电子设备和电池管理系统。

4. 照明应用:它也可以用于LED照明驱动电路,以提供高效的亮度控制和能源管理,适用于室内和室外照明系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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