产品简介:
**应用简介:**
这款N—Channel沟道MOSFET适用于中功率和中频率的应用场景
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产品参数:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
26(mΩ) |
22(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/6.0A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
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|
|
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**详细参数说明:**
- **型号:** CEM4936-VB
- **丝印:** VBA3328
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型: SOP8
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压(VDS): 30V
- 额定电流(ID): 6.8A (连续), 6.0A (脉冲)
- 导通电阻(RDS(ON)): 22mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压(Vth): 1.73V
领域和模块应用:
常见于以下领域:
1. **电源开关模块:** 适用于小型电源开关模块,提供可靠的开关控制。
2. **电机控制:** 在电机驱动和控制模块中,作为电流开关,用于实现电机的精确控制。
3. **LED照明驱动:** 在中功率LED照明应用中,作为电流开关,用于调节和控制LED的亮度。
4. **电源逆变器:** 用于将直流电源转换为交流电源,广泛应用于可再生能源系统和电力电子设备。
**使用注意事项:**
1. **封装类型:** 确保正确选择和处理SOP8封装,以确保焊接质量和适当的散热。
2. **电压和电流限制:** 不要超过额定的电压和电流参数,以防止器件损坏。
3. **散热设计:** 在高功率应用中,可能需要考虑有效的散热设计。
4. **阈值电压注意:** 了解并考虑阈值电压,确保在实际应用中得到合适的电压偏置。
5. **静电防护:** 在处理和使用过程中,采取适当的静电防护措施,以防止静电损坏。
在任何应用中,都应仔细阅读产品手册和规格书,以确保正确的使用和操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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