产品简介：
应用简介：
SI4920DY-T1-E3是一款具有两个N沟道MOSFET的器件，适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用。其最大耐压为30V，最大电流为8.5A，具有低导通电阻和高性能。
SI4920DY-T1-E3适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的应用领域的模块设计，包括电源管理、电动工具和汽车电子模块等。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
20(mΩ) |
16(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
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|
|
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型号：SI4920DY-T1-E3
丝印：VBA3316
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：2个N沟道MOSFET
- 最大耐压：30V
- 最大电流：8.5A
- 导通电阻：20mΩ @10V, 12mΩ @4.5V
- 门源电压：±20Vgs (±V)
- 门阈电压：1.5Vth
- 封装：SOP8
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于需要同时控制多个N沟道MOSFET的电源开关和逆变器等。
2. 电动工具：可用于电动工具中的负载开关和电源控制。
3. 汽车电子模块：适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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