产品简介：
本产品为N+P-Channel沟道的双通道功率场效应晶体管（MOSFET）。
- 可在最大±60V的电压下工作，适用于宽电压范围的电路设计。
- 最大连续漏极电流分别为5.3A（N-Channel）和-4.9A（P-Channel），具备较高的电流承受能力。
- 在VGS=10V，29/60(mΩ)@VGS=4.5V时，N-Channel的开启状态电阻为26/55(mΩ)，P-Channel的开启状态电阻为，有助于降低功耗。
- 门压阈值电压为±1.9V，确保了可靠的驱动和开关性能。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
29/60(mΩ) |
26/55(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
|
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型号: STM8450-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 最大工作电压：±60V
- 最大连续漏极电流：5.3A (N-Channel), -4.9A (P-Channel)
- 开启状态电阻：26/55(mΩ) (N-Channel @ VGS=10V，29/60(mΩ)@VGS=4.5V), (P-Channel @ VGS=±20V)
- 门压阈值电压：±1.9V
封装: SOP8
领域和模块应用：
适用于电源转换、电机控制、功率放大等领域的电路设计。
- 可用于H桥驱动器、电源逆变器、电机控制器等模块中，提供双通道的功率开关解决方案。
- 在电动车充电桩、工业自动化设备、太阳能逆变器等领域有广泛应用。
举例说明:
- 在太阳能逆变器中，可用于构建全桥拓扑的电路，实现太阳能电能的高效转换和稳定输出。
- 在电动车充电桩中，作为功率开关元件，实现对电池充电过程的精确控制和高效能量转换。
- 在工业自动化设备中，用作马达控制器的功率开关，提供稳定的电机控制和可靠的工作性能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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