STC4567S8RG-VB - VBsemi MOS管制造商

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STC4567S8RG-VB是VBsemi推出的N+P沟道MOSFET，具有优异的性能和可靠性，适用于多种电源管理、功率控制和电机驱动应用。

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VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+P-Channel	±60V		1.8/-1.7V	5.3/-4.9A		29/60(mΩ)	26/55(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+P-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+P-Channel	±60V		1.8/-1.7V	5.3/-4.9A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+P-Channel	±60V		1.8/-1.7V	5.3/-4.9A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-N+P-Channel

**产品型号：** STC4567S8RG-VB
**丝印：** VBA5638
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- **沟道类型：** N+P沟道MOSFET
- **工作电压：** ±60V
- **最大电流：** 5.3A（正向） / -4.9A（反向）
- **导通电阻：** RDS(ON)=26/55(mΩ)(@VGS=10V，29/60(mΩ)@VGS=4.5V) / (@VGS=±20V)
- **门极阈值电压：** Vth=±1.9V
**封装：** SOP8

领域和模块应用：

1. **电源管理模块：** 在电源管理模块中，STC4567S8RG-VB可用作电源开关或负载开关，用于控制电源的开关和调节。其高耐压和大电流能力使其能够在高压、大电流的电源系统中稳定工作。

2. **功率控制器：** 在功率控制器中，STC4567S8RG-VB可用作功率开关或电流控制器，用于控制电路中的功率输出和电流流动。其低导通电阻和高功率处理能力能够确保电路的高效能输出。

3. **电机驱动器：** 在电机驱动器中，STC4567S8RG-VB可用作电机驱动器的功率开关，用于控制电机的启停和转速调节。其高耐压和大电流能力能够确保电机系统的稳定工作和高效能输出。

STC4567S8RG-VB可广泛应用于电源管理、功率控制和电机驱动等领域，为电子产品的稳定运行和高效性能提供可靠保障。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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