产品简介：
SSG4575-VB是一款N+P-Channel沟道功率MOSFET，其工作电压范围为±60V。正向最大电流为5.3A，反向最大电流为-4.9A。在VGS为10V，29/60(mΩ)@VGS=4.5V或20V时，其正向导通电阻为26/55(mΩ)，反向导通电阻为26/55(mΩ)。阈值电压为±1.9V。该产品采用SOP8封装。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
29/60(mΩ) |
26/55(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
±60V |
|
1.8/-1.7V |
5.3/-4.9A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-N+P-Channel |
|
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产品型号: SSG4575-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 工作电压范围: ±60V
- 最大电流: 5.3A (正向), -4.9A (反向)
- 导通电阻: 26/55(mΩ) (正向), (反向) (@VGS=10V，29/60(mΩ)@VGS=4.5V; VGS=±20V)
- 阈值电压: ±1.9V
封装: SOP8
领域和模块应用：
这款产品适用于高压电源管理和功率控制应用。由于其N+P-Channel结构和高电压容忍度，它特别适合用于电源开关、双极性功率放大器和电机控制模块。此外，它还可用于电动工具、家用电器、工业自动化等领域，以提供可靠的功率开关和调节功能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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