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XP134A11A1SR-VB 产品详细

产品简介:

XP134A11A1SR-VB是一款P-Channel沟道功率MOSFET,其工作电压为-30V,最大电流为-7.3A。在VGS为10V或20V时,其导通电阻为35mΩ。阈值电压为-1.7V。该产品采用SOP8封装。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A 45(mΩ) 35(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P-Channel
产品型号: XP134A11A1SR-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 工作电压: -30V
- 最大电流: -7.3A
- 导通电阻: 35mΩ (@VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V;,
VGS=20V)
- 阈值电压: -1.7V
封装: SOP8

领域和模块应用:

这款产品适用于电源管理和功率控制应用。由于其双P-Channel结构和高电流特性,它特别适用于电源开关和电流控制模块。此外,它还可用于电动工具、电动车辆和电池管理系统等领域,以提供可靠的功率管理和控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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