产品简介：
此产品为具有2个P-Channel沟道的功率场效应晶体管（MOSFET）。
- 可工作在最大电压为-30V的条件下，适用于低压电路设计。
- 最大连续漏极电流为-7.3A，具有较高的电流承受能力。
- 开启状态电阻为35mΩ@VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；,
VGS=20V，有助于降低功率损耗和提高效率。
- 门压阈值电压为-1.7V，确保了可靠的驱动和开关性能。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
45(mΩ) |
35(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
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型号: TSM4433DCS-RL-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
参数:
- 2个P-Channel沟道
- 最大工作电压：-30V
- 最大连续漏极电流：-7.3A
- 开启状态电阻：35mΩ@VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；,
VGS=20V
- 门压阈值电压：-1.7V
封装: SOP8
领域和模块应用：
适用于电源管理、功率放大、电机控制等领域的电路设计。
- 可用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器等模块中，提高系统效率和可靠性。
- 在电动车充电桩、太阳能逆变器、LED照明等应用中具有广泛的应用前景。
举例说明:
- 在电动车充电桩中，可用作充电控制器的功率开关元件，实现对电池充电过程的精确控制和高效能量转换。
- 在太阳能逆变器中，作为功率开关元件，实现太阳能电能的高效转换和稳定输出。
- 在LED照明系统中，用作LED驱动器的开关管，实现高效能量转换和可靠的照明控制。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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