产品简介：
TM4953S-VB是一款P-Channel MOSFET，具有两个沟道，适用于负载开关和功率管理应用。其最大耐压达到-30V，最大漏极电流为-7.3A，具有低导通电阻，典型值为35mΩ。此外，阈值电压为-1.7V，适用于低压驱动应用。该器件采用SOP8封装，具有良好的散热性能和高密度集成特性。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
45(mΩ) |
35(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
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参数：
- 2个P-Channel沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大漏极电流：-7.3A
- 典型导通电阻：35mΩ @ VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；,
VGS=20V
- 阈值电压：-1.7V
封装：SOP8
领域和模块应用：
TM4953S-VB适用于各种需要P-Channel MOSFET的应用场景，特别是在负载开关和功率管理方面具有广泛的应用。例如，可以应用于电源管理模块中的功率开关电路、直流-直流转换器、电池充放电管理等。另外，由于其性能优越，还可用于便携式设备、汽车电子、工业自动化等领域的功率控制电路中，以提高系统的效率和性能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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