SI9953ADY-T1-E3-VB - VBsemi MOS管制造商

SI9953ADY-T1-E3-VB 产品详细

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产品简介：

SI9953ADY-T1-E3-VB是一款具有2个P沟道的功率MOSFET，主要用于电路中的功率开关控制。其额定电压为-30V，额定电流为-7.3A，具有低导通电阻的特点。在10V和20V的门源电压下，其导通电阻为35mΩ。阈值电压为-1.7V，适用于正常的门控电压范围。封装为SOP8，适合表面贴装工艺。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V		-1.7V	-7.3A		45(mΩ)	35(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V		-1.7V	-7.3A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-P+P-Channel	-30V		-1.7V	-7.3A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-P+P-Channel

产品型号：SI9953ADY-T1-E3-VB
品牌：VBsemi
丝印：VBA4338

参数：
- 通道类型：2个P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-7.3A
- 开启电阻：RDS(ON)=35mΩ @VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；，
VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.7V
- 封装：SOP8

领域和模块应用：

SI9953ADY-T1-E3-VB适用于各种电源管理和功率控制应用，包括但不限于以下领域：
1. 电源开关：可用于电源开关模块中，实现对电源的快速开关控制，提高系统效率。
2. 电池充放电管理：可应用于电池管理系统中，实现对电池充放电过程的控制和管理，延长电池寿命。
3. 电动汽车充电器：可用于电动汽车充电器中，实现对充电过程的控制和调节，提高充电效率。

举例说明：
在电源开关模块中，SI9953ADY-T1-E3-VB可用于实现对电源的快速开关控制，适用于各种移动设备和工业控制场合。同时，在电动汽车充电器中，SI9953ADY-T1-E3-VB可用于实现对充电过程的控制和调节，提高充电效率，适用于电动汽车充电站等场景。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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