产品简介：
SI4845DY-T1-E3-VB是一款双P沟道MOSFET，适用于各种领域和模块，具有优异的性能和多样化的应用场景。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
45(mΩ) |
35(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
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|
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型号：SI4845DY-T1-E3-VB
丝印：VBA4338
品牌：VBsemi
**详细参数说明：**
- 通道数量：2个P沟道MOSFET
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-7.3A
- 开启电阻：RDS(ON) = 35mΩ @ VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；,
VGS=20V
- 门源电压阈值：Vth = -1.7V
**封装：**
SOP8
领域和模块应用：
1. **电源逆变器**：适用于太阳能逆变器、电动车充电器等领域，实现高效的能源转换和稳定的电源输出。
2. **电池管理系统**：应用于电池充放电保护、电池管理等领域，确保电池的安全使用和性能优化。
3. **电源管理模块**：用于电源转换和电压调节，在各种电子设备中提供稳定可靠的电源管理解决方案。
4. **LED照明控制**：适用于LED驱动电路，实现LED照明产品的高效能源管理和亮度控制。
5. **电机驱动器**：用于直流电机、步进电机等的驱动，提供高效、精确的电机控制和运行。
SI4845DY-T1-E3-VB具有优秀的性能和广泛的应用领域，可为各种电子设备和系统提供稳定可靠的性能支持，是一款值得信赖的电子元器件。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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