产品简介：
NTMD2P01R2G-VB是VBsemi生产的P-Channel MOSFET，具有两个P-Channel沟道，适用于各种低压应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为电源管理、电池保护、电机驱动等领域的理想选择。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
45(mΩ) |
35(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
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**产品型号：** NTMD2P01R2G-VB
**丝印：** VBA4338
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 沟道类型：2个P-Channel沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-7.3A
- 导通电阻：RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；,
VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.7V
**封装：** SOP8
领域和模块应用：
1. **电源管理模块：** NTMD2P01R2G-VB可用于电源管理模块中的功率开关，实现高效的电能转换和稳定的电压输出。
2. **电池保护模块：** 由于其高速开关特性和低导通电阻，NTMD2P01R2G-VB可用于电池保护模块，确保电池充放电过程中的安全性和稳定性。
3. **电机驱动模块：** 在电机驱动领域，NTMD2P01R2G-VB可用作电机驱动器件，用于控制电机的启停和转速，提高电机的效率和性能。
4. **LED照明模块：** 在LED照明应用中，NTMD2P01R2G-VB可用作LED驱动器件，实现LED灯的亮度调节和电源管理，提高LED照明系统的能效和稳定性。
通过以上应用简介，可以看出NTMD2P01R2G-VB适用于各种需要P-Channel MOSFET的低压应用领域，包括电源管理、电池保护、电机驱动和LED照明等模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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