产品简介：
4959GM-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel MOSFET器件，具有两个P—Channel沟道。其额定工作电压为-30V，最大承受电流为-7.3A。在VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；和
VGS=20V时，导通电阻为35mΩ。阈值电压为-1.7V。该器件采用SOP8封装，适用于各种电路设计。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
45(mΩ) |
35(mΩ) |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
-30V |
|
-1.7V |
-7.3A |
|
Trench |
| VB Package |
Polarity |
Vz / VR |
Pd |
VF |
IF |
IR |
Cd |
Type |
| SOP8 |
Dual-P+P-Channel |
|
|
|
|
|
|
|
**型号：** 4959GM-VB
**丝印：** VBA4338
**品牌：** VBsemi
**参数：**
- 2个P—Channel沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-7.3A
- 导通电阻：35mΩ@VGS=10V,45(mΩ)@VGS=4.5V；,
VGS=20V
- 阈值电压：-1.7V
**封装：** SOP8
领域和模块应用：
4959GM-VB适用于多种领域和模块，包括但不限于：
1. 电源管理模块：可用于电源管理模块中的开关电源控制，如DC-DC转换器、充电管理电路等。
2. 电机驱动器：可用作电机驱动器中的电源开关，帮助控制电机的启停和转速。
3. LED照明系统：在LED照明系统中，可作为LED驱动电路中的电源开关，实现LED的控制和调光功能。
总之，4959GM-VB适用于需要P-Channel MOSFET的各种电路设计，特别是需要低导通电阻和高性能的应用场合。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
