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SPP4925S8R-VB 产品详细

产品简介:

### 产品简介

SPP4925S8R-VB 是 VBsemi 公司生产的一款 P 沟道 MOSFET,具有优异的性能和可靠性。采用 SOP8 封装,适用于多种领域和模块的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A 45(mΩ) 35(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P-Channel -30V -1.7V -7.3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-P+P-Channel
### 详细参数说明

- 极性:P 沟道
- 最大漏极电压:-30V
- 最大漏极电流:-7.3A
- 开启电阻:35mΩ @ VGS=10V, 45mΩ @ VGS=4.5V
- 栅极-源极电压:20V
- 阈值电压:-1.7V

领域和模块应用:

### 应用示例

1. **电源管理模块**:SPP4925S8R-VB 可用于电源管理模块中的功率开关,如电池保护、充放电控制等。
2. **驱动器模块**:适用于驱动器模块中的功率开关,如电机驱动、LED 驱动等。
3. **稳压模块**:可用于稳压模块中的开关电路,提供稳定的输出电压。
4. **照明模块**:用于 LED 照明模块中的驱动电路,提供高效的电能转换和控制。

以上是一些示例,实际应用取决于具体的电路设计和要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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