P1203EVG-VB - VBsemi MOS管制造商

P1203EVG-VB 产品详细

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产品简介：

VBsemi P-沟道MOSFET P1203EVG-VB 具有-30V的电压额定值，-11.6A的电流承受能力，以及在VGS=10V，12mΩ@VGS=4.5V；
和VGS=±20V时的低RDS(ON)为11mΩ。该器件采用SOP8封装，印有标识符VBA2311。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P-Channel	-30V		-2.5V	-11.6A		12(mΩ)	11(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P-Channel	-30V		-2.5V	-11.6A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P-Channel	-30V		-2.5V	-11.6A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-P-Channel

**主要规格：**
- 电压额定值：-30V
- 电流承受能力：-11.6A
- RDS(ON)：在VGS=10V，12mΩ@VGS=4.5V；
和VGS=±20V时为11mΩ
- 阈值电压（Vth）：-2.5V

**封装：**
- SOP8

领域和模块应用：

**应用领域：**
1. **电源逆变器：** 由于其P-沟道特性，适用于电源逆变器中，能够有效管理负载。

2. **电源开关模块：** 在电源开关模块中可以实现可靠的电源开关控制。

3. **电池保护电路：** 用于设计电池保护电路，确保电池在安全范围内运行。

4. **汽车电子系统：** 由于其负载驱动能力，可应用于汽车电子系统中的电源管理和控制。

**注意：** 为了获得最佳性能，请确保兼容性并遵循数据手册中的推荐工作条件。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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