SW160R04VT-VB - VBsemi MOS管制造商

SW160R04VT-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

1. 产品简介：
SW160R04VT-VB是一款N沟道场效应管，具有40V的漏极-源极电压承受能力和10A的漏极电流承受能力。在VGS=10V时，其导通电阻(RDS(ON))为14mΩ，在VGS=4.5V时为16mΩ。其门极-源极电压(VGS)范围为±20V，阈值电压(Vth)为1.8V。封装采用SOP8封装。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N-Channel	40V		1.8V	10A		16(mΩ)	14(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N-Channel	40V		1.8V	10A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N-Channel	40V		1.8V	10A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-N-Channel

详细参数说明：
- N沟道场效应管
- 漏极-源极电压：40V
- 漏极电流：10A
- RDS(ON)：14mΩ@VGS=10V，16mΩ@VGS=4.5V
- VGS范围：±20V
- 阈值电压(Vth)：1.8V
- 封装：SOP8

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
- 电源管理模块：用于稳压、开关和超载保护等功能。
- 汽车电子模块：用于汽车电动化系统的电源开关和控制。
- 工业控制模块：用于工业设备的电源控制和驱动。

以上是对SW160R04VT-VB MOSFET产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

SW160R04VT-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

QQ咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶