TM2301N/FN-VB 的特性使其在对电流控制和功耗优化有要求的领域中表现出色，适用于多种电路设计，特别是需要 P-Channel 沟道场效应晶体管的应用。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SOT23-3 | Single-P-Channel | -20V | 12（±V） | -0.8V | -4A | 80（mΩ） | 65(mΩ) | 60(mΩ) |
**参数说明：**
- 封装类型：SOT23-3
- 沟道类型：P-Channel
- 额定电压（VDS）：-20V
- 额定电流（ID）：-4A
- 开关电阻（RDS(ON)）：80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；
VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：-0.81V
**适用领域和模块举例：**
- **领域：** 电子设备、电源管理、模拟电路等。
- **模块应用举例：**
1. **电源开关模块：** 适用于设计负载开关电源的模块，可有效控制电流。
2. **信号放大器：** 在模拟电路中，可用于 P-Channel 放大器模块，用于信号放大和处理。
3. **电源逆变器：** 可用于电源逆变器模块，特别是需要负载控制的应用场景。
TM2301N/FN-VB 的特性使其在对电流控制和功耗优化有要求的领域中表现出色，适用于多种电路设计，特别是需要 P-Channel 沟道场效应晶体管的应用。
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