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SI2315DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**
SI2315DS-T1-GE3-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道场效应晶体管,以其低导通电阻和适用于负载开关等特性而备受欢迎。

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产品参数:

### SI2315DS-T1-GE3-VB

**详细参数说明:**
1. 产品型号:SI2315DS-T1-GE3-VB
2. 封装类型:SOT23-3
3. 沟道类型:P—Channel
4. 额定电压:-30V
5. 额定电流:-5.6A
6. 导通电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
7. 阈值电压:Vth=-1V

领域和模块应用:

**领域和模块应用:**
1. **负载开关:** 适用于需要可靠负载开关的电子设备和电路,确保高效的电源控制。
2. **电源管理:** 在电源管理模块中发挥作用,特别是在需要P—Channel MOSFET的低功耗应用场景,如电源开关和断路器。

请注意,以上仅为示例,具体的应用和模块选择可能根据具体设计需求和电路要求而变化。建议在使用前查阅产品手册和规格书以确保正确的应用和操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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