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DMG3415U-7-F-VB 产品详细

产品简介:



详细参数说明:
DMG3415U-7-F-VB是一种P沟道MOSFET,其额定工作电压为-30V,额定工作电流为-5.6A。该器件的导通电阻为47mΩ @10V和56mΩ @4.5V时分别对应两种不同的工作电压。其门源电压范围为±20Vgs,阈值电压为-1Vth。该器件采用SOT23-3封装形式。

应用简介:
DMG3415U-7-F-VB适用于多个领域的模块和应用。由于其能够承受高电流和较高的工作电压,使其适用于需要高功率驱动的应用。以下是一些可能的

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产品参数:

型号:DMG3415U-7-F-VB
丝印:VB2355
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 额定工作电压:-30V
- 额定工作电流:-5.6A
- 导通电阻:47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 门源电压范围:±20Vgs
- 阈值电压:-1Vth
- 封装形式:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:

1. 电源模块:DMG3415U-7-F-VB可用于电源模块中的开关电源设计,用于电压转换和电流管理。

2. 电机驱动模块:该器件适用于电机驱动模块,例如直流电机驱动器或步进电机驱动器。

3. 照明模块:由于该器件能够承受较高的电流和工作电压,因此可用于LED照明驱动模块。

4. 工业控制模块:DMG3415U-7-F-VB可用于工业控制模块,如PLC(可编程逻辑控制器)或工业自动化设备。

5. 电池管理模块:该器件适用于电池管理模块,用于控制电池充放电和保护功能。

总结:
DMG3415U-7-F-VB是一款P沟道MOSFET器件,适用于多个领域的模块和应用。它具有承受较高电流和工作电压的特性,适用于需要高功率驱动的应用。常见的应用领域包括电源模块、电机驱动模块、照明模块、工业控制模块和电池管理模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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