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RU306C-VB 产品详细

产品简介:

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RU306C-VB是VBsemi生产的N沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。它具有30V的漏极-源极电压,6.5A的漏极电流,以及在不同栅极-源极电压下的低导通电阻。适用于各种电路应用。



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产品参数:

详细参数说明:

- 品牌:VBsemi
- 型号:RU306C-VB
- 封装:SOT23-3
- 类型:N沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):30V
- 最大漏极电流(ID):6.5A
- 导通电阻(RDS(ON)):
- VGS=10V时:30mΩ
- VGS=4.5V时:33mΩ
- 栅极-源极电压(VGS):20V
- 阈值电压(Vth):1.7V

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:

1. 电源管理模块:由于其较低的导通电阻和适中的漏极-源极电压,RU306C-VB可用于电源开关和调节电路中,实现高效能量转换和电源管理。
2. 电机驱动器:其较高的漏极电流能力和稳定的性能使得RU306C-VB适用于电机驱动器和控制器中,提供可靠的功率输出和驱动性能。
3. LED驱动器:在LED照明领域,RU306C-VB可用于LED驱动器电路中,控制LED的亮度和灯光效果,实现高效能的照明解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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