产品简介：
**详细参数说明：**
UT2312L-AE3-R-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装。具有20V的额定电压，6A的额定电流，以及在不同门源电压下的低开态电阻（RDS(ON)）。
- **电气特性：**
- **额定电压（VDS）：** 20V
- **额定电流（ID）：** 6A
- **开态电阻（RDS(ON)）：** RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- **阈值电压（Vth）：** 0.5~1.5V
**应用简介：**
UT2312L-AE3-R-VB适用于多种电子领域，特别是需要N-Channel MOSFET进行功率控制的应用。
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产品参数：
**UT2312L-AE3-R-VB**
- **丝印：** VB1240
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装类型：SOT23
- MOSFET类型：N—Channel沟道
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- 开态电阻：RDS(ON)=RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压：Vth=0.5~1.5V
- **封装：** SOT23
领域和模块应用：
以下是一些可能的应用领域：
1. **电源模块：** 由于其较低的开态电阻和适中的电流能力，UT2312L-AE3-R-VB可用于设计紧凑型、高效率的电源模块。
2. **电机驱动：** 在需要控制电机的应用中，UT2312L-AE3-R-VB可以作为电机驱动电路中的功率开关元件，实现高效率的电机控制。
3. **LED驱动：** 作为LED照明系统中的开关元件，UT2312L-AE3-R-VB可以帮助实现精确的亮度控制和节能。
请注意，具体的应用取决于系统的需求和设计参数，建议根据具体场景和电路设计要求进行选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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