产品简介：
**应用简介:**
BSS806N-VB 是一款高性能的 N—Channel 沟道 MOSFET，适用于多种电子应用。
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产品参数：
型号: BSS806N-VB
**详细参数说明:**
- 丝印: VB1240
- 品牌: VBsemi
- 参数:
- 类型: N—Channel沟道
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- 导通电阻: RDS(ON) = RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压: Vth = 0.5~1.5V
**封装:**
- 封装类型: SOT23
领域和模块应用：
1. **电源模块:**
- 用于电源开关、DC-DC 变换器和调节模块，提供高效的功率控制。
2. **电机驱动模块:**
- 适用于电机控制，提供高效的电流和电压控制。
3. **充放电管理模块:**
- 在电池充电和放电管理系统中发挥关键作用。
4. **便携式设备:**
- 由于小型封装和低阈值电压，适合用于便携式电子设备的功率控制。
BSS806N-VB 的高性能和可靠性使其成为各种电子设备中功率控制和管理的理想选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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