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VBPB112MI25 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBPB112MI25是一款TO3P封装的IGBT+FRD器件,主要用于高压直流应用。该器件具有1200V的VCE(电压)、±30V的VGE(栅极-发射极电压)、5V的VGEth(栅极-发射极阈值电压)、1.55V的VCEsat(饱和电压)、25A的ICE(电流)等特性。采用了FS技术,结合了IGBT和FRD的优势,具有较低的导通压降和较高的开关速度。



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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBPB112MI25
- 封装类型:TO3P
- 功能配置:IGBT+FRD
- 集电-发射极电压(VCE):1200V
- 栅极-发射极电压(VGE):±30V
- 栅极-发射极阈值电压(VGEth):5V
- 饱和电压(VCEsat) @ VGE=15V:1.55V
- 最大连续导通电流(ICE):25A
- 技术:FS(场效应)

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业高压电源:VBPB112MI25适用于工业高压电源模块,用于提供稳定的高压直流电源,用于各种工业设备和系统的供电。
2. 电动车充电器:在电动车充电器中,VBPB112MI25可用于控制电池充电过程,确保电池充电的安全和高效。
3. 高压电力变流器:在电力工程领域中,VBPB112MI25可用于高压电力变流器模块,用于电能转换和电力调节。
4. 电力逆变器:由于其高电压特性和高电流承载能力,VBPB112MI25适用于电力逆变器模块,将直流电转换为交流电,广泛应用于电力系统中。
5. 智能家居应用:在智能家居系统中,VBPB112MI25可用于控制和调节家庭电器的供电,提供可靠的电源和稳定的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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