**STD65N55F3-VB**

- **丝印：** VBE1606
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：TO252
- 沟道类型：N—Channel
- 最大沟道电压（VDS）：60V
- 最大漏极电流（ID）：110A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：4.5mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：2.8V

**详细参数说明：**
STD65N55F3-VB 是一款N—Channel MOSFET，封装为TO252，具有最大60V的沟道电压和110A的最大漏极电流。其静态漏极-源极电阻为4.5mΩ，阈值电压为2.8V。

**应用简介：**
STD65N55F3-VB广泛应用于高功率功率电子应用，包括电源开关、电机驱动和电源逆变器等。

**领域模块应用：**
1. **电源开关模块：** 在电源开关模块中，STD65N55F3-VB可用于实现高效能耗的电源开关，提供可靠的电源控制。
2. **电机驱动：** 作为电机驱动器的一部分，该器件能够控制电机的运行，适用于高功率的电动工具和工业自动化系统。
3. **电源逆变器：** 在电源逆变器中，STD65N55F3-VB可用于控制逆变电路，将直流电源转换为交流电源，适用于高功率的太阳能发电系统等。

**作用：**
- 提供可靠的高功率电源开关和控制。
- 用于高功率电机的驱动和控制。
- 控制高功率电源逆变器，将直流电源转换为交流电源。

**使用注意事项：**
1. 遵循数据手册中的最大额定值，以确保在规定条件下使用。
2. 注意散热，确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 在设计中考虑阈值电压，以确保在正确的电压条件下工作。
4. 确保正确的封装和引脚连接，以避免引起电路连接问题。