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SSM6L35FU-VB一个N+P沟道SC70-6封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**产品型号:** SSM6L35FU-VB
**丝印:** VBK5213N
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装: SC70-6
- 类型: N+P—Channel沟道
- 额定电压: ±20V
- 额定电流: 2.5A (正向), -1.5A (反向)
- 开态电阻 (RDS(ON)): 130mΩ @ VGS=4.5V, 230mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): ±0.6~2V

**封装:** SC70-6

**详细参数说明和应用简介:**
该器件是一款SC70-6封装的N+P—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种应用场景。主要参数包括双通道设计、双极性工作、低开态电阻,使其在不同电源和负载条件下具有良好的性能。

**应用领域:**
1. **信号开关模块:** 由于其双通道和双极性工作设计,可用于实现信号开关和电平转换。
2. **电源反接保护模块:** 适用于需要反接保护的电源模块,可实现对电源的可靠保护。
3. **电流检测模块:** 在需要测量电流的场景中,可用于电流检测模块,实现对电流的准确测量。

**作用:**
- **信号开关模块:** 用于实现信号开关和电平转换,确保稳定的信号传输。
- **电源反接保护模块:** 提供反接保护,防止电源极性错误连接导致的损坏。
- **电流检测模块:** 作为电流检测的一部分,实现对电流的准确测量和监控。

**使用注意事项:**
1. 请按照数据手册提供的最大额定值操作,以确保器件的可靠性和稳定性。
2. 在设计中考虑电源极性,确保正确连接,以防止反接导致的损坏。
3. 确保在阈值电压范围内使用,以确保正常工作。
4. 避免超过额定电压和电流,以免损坏器件。

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