型号：SI7617DN-VB
丝印：VBQF2309
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：DFN8(3X3)
- 沟道类型：P—Channel沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-45A
- 开态电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-2.23V

应用简介：
SI7617DN-VB是VBsemi推出的一款DFN8(3X3)封装的P—Channel沟道功率MOSFET。具有-30V的额定电压和最大-45A的电流承受能力，以及在VGS为10V和VGS为20V时的低开态电阻（RDS(ON)）为11mΩ，具备卓越的性能特点。阈值电压（Vth）为-2.23V，适用于多种应用场景。

详细参数说明：
1. **封装类型：** DFN8(3X3)
2. **沟道类型：** P—Channel沟道
3. **额定电压：** -30V
4. **最大电流：** -45A
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 11mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压（Vth）：** -2.23V

应用领域：
SI7617DN-VB适用于以下领域的模块：
1. **电源开关：** 由于其P—Channel沟道类型和适中的额定电压，适用于电源开关模块，能够实现高效的电路切换。
2. **电池管理：** 在电池管理模块中，可用于充放电控制，由于DFN8(3X3)封装，适合空间受限的场景。
3. **电源逆变器：** 用于电源逆变器模块，通过高电压和电流承受能力，实现有效的电能转换。

使用注意事项：
- 在设计中请确保适当的散热措施，以维持器件在正常工作温度范围内。
- 请按照数据手册提供的最大额定值使用，以防止过载损坏。
- 注意阈值电压（Vth）的范围，确保在实际应用中选择适当的驱动电压。

以上是SI7617DN-VB的详细参数说明和应用简介，同时提供了使用注意事项，该产品在电源开关、电池管理和电源逆变器等领域有着广泛的应用潜力。