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SI2365EDS-T1-GE3-VB一个P沟道SOT23-3封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:SI2365EDS-T1-GE3-VB

丝印:VB2290

品牌:VBsemi

参数:

- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 开态电阻:RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

应用简介:

SI2365EDS-T1-GE3-VB是一款P—Channel沟道的功率场效应管,封装为SOT23。其主要应用领域包括但不限于:

1. **电源开关模块:** 适用于电源开关电路,提供高电流、低开态电阻的电源开关功能,广泛应用于电源管理系统和各类便携设备。

2. **电源逆变器:** 在低功率逆变器等领域,可用于实现直流到交流的转换,为小型电子设备提供电能输出。

3. **电源调节模块:** 适用于需要低功率、简单电压调节的电路,如小型电源稳压器。

4. **信号开关:** 在低频信号的开关控制中,常见于音频设备、通信设备等。

5. **电流控制模块:** 在低功率电流调控电路中,如小型电流源、电流控制器等。

SI2365EDS-T1-GE3-VB的特性使其在以上低功率应用中表现卓越,是一款小型、可靠的功率场效应管。

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