型号：SI2324DS-T1-GE3

丝印：VB1102M

品牌：VBsemi



详细参数说明：

- 类型：N沟道MOSFET

- 最大耐压：100V

- 最大电流：2A

- 导通电阻：246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V

- 门源电压：20Vgs

- 门阈电压：2Vth

- 封装：SOT23



应用简介：

SI2324DS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET，适用于需要开关高电压和大电流的电路。其最大耐压为100V，最大电流为2A，具有低导通电阻，可支持高功率传输。



该器件具有快速开关速度和低开关损耗，适用于多种应用领域，包括但不限于：

1. 电源管理模块：可用于开关电源中的电流控制和功率开关。

2. 电机驱动模块：可用于驱动小型直流电机或步进电机。

3. 照明模块：可用于LED驱动和调光控制。



总之，SI2324DS-T1-GE3适用于需要高电压和大电流的应用领域的模块设计，如电源管理、电机驱动和照明控制等。