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IRFU5410PBF-VB一个P沟道TO251封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:IRFU5410PBF-VB
丝印:VBFB2101M
品牌:VBsemi
参数:
- 封装:TO251
- 沟道类型:P—Channel沟道
- 额定电压:-100V
- 最大电流:-15A
- 开态电阻(RDS(ON)):100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-2V

应用简介:
IRFU5410PBF-VB是VBsemi推出的一款TO251封装的P—Channel沟道功率MOSFET。具有-100V的额定电压和最大-15A的电流承受能力,以及在VGS为10V和VGS为20V时的低开态电阻(RDS(ON))为100mΩ,具备卓越的性能特点。阈值电压(Vth)为-2V,适用于多种应用场景。

详细参数说明:
1. **封装类型:** TO251
2. **沟道类型:** P—Channel沟道
3. **额定电压:** -100V
4. **最大电流:** -15A
5. **开态电阻(RDS(ON)):** 100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压(Vth):** -2V

应用领域:
IRFU5410PBF-VB适用于以下领域的模块:
1. **电源开关:** 由于其P—Channel沟道类型和适中的额定电压,适用于电源开关模块,能够实现高效的电路切换。
2. **电机驱动:** 在电机驱动模块中,可用于控制电机的功率,具备较低的开态电阻。
3. **功率逆变器:** 用于功率逆变器模块,通过高电压和电流承受能力,实现有效的电能转换。

使用注意事项:
- 在设计中请确保适当的散热措施,以维持器件在正常工作温度范围内。
- 请按照数据手册提供的最大额定值使用,以防止过载损坏。
- 注意阈值电压(Vth)的范围,确保在实际应用中选择适当的驱动电压。

以上是IRFU5410PBF-VB的详细参数说明和应用简介,同时提供了使用注意事项,该产品在电源开关、电机驱动和功率逆变器等领域有着广泛的应用潜力。

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