型号: IPD048N06L3G-VB

丝印: VBE1606

品牌: VBsemi

### 详细参数说明：

- **封装类型:** TO252
- **沟道类型:** N-Channel
- **额定电压 (VDS):** 60V
- **最大持续电流 (ID):** 110A
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- @ VGS = 10V: 4.5mΩ
- @ VGS = 20V: 未提供具体数值
- **阈值电压 (Vth):** 2.8V

### 应用简介：

IPD048N06L3G-VB是一款TO252封装的N-Channel沟道场效应晶体管。由于其高额定电压和电流能力，适用于高功率的电源和开关应用。

### 适用领域和模块：

1. **电源模块：** 由于其高电流和低导通电阻，IPD048N06L3G-VB可用于设计高功率的电源模块，如服务器电源和工控电源。

2. **电机驱动：** 在需要高电流的电机驱动应用中，如工业电机控制系统。

3. **电动汽车电源系统：** 由于其高电压和电流能力，可用于电动汽车的电源系统，如电动汽车电池管理系统（BMS）。

### 使用注意事项：

1. **电压等级：** 在使用过程中，确保不要超过额定电压60V。

2. **电流限制：** 不要超过规定的最大持续电流，即110A。

3. **阈值电压：** 注意阈值电压为2.8V，在设计电路时需考虑适当的电压范围。

4. **散热：** 对于高功率应用，提供足够的散热以确保晶体管正常工作温度。

5. **静电防护：** 在操作过程中，采取适当的静电防护措施，以防止损坏晶体管。

请注意，这只是一个基本的概述，具体的设计和应用需要根据具体的项目需求和制造商的推荐进行。在使用该器件之前，请务必查阅相关的数据表和技术文档以获取详细的信息和指导。