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IPB120N04S4-02-VB一个N沟道TO263封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**IPB120N04S4-02-VB**

**丝印:** VBL1402
**品牌:** VBsemi
**参数:** TO263;N—Channel沟道, 40V;180A;RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=1~3V

**封装:** TO263

**详细参数说明:**
- **沟道类型:** N—Channel
- **最大承受电压:** 40V
- **最大电流:** 180A
- **导通电阻:** 2mΩ(在VGS=10V时),2mΩ(在VGS=20V时)
- **阈值电压:** 1~3V

**应用简介:**
该器件为 N—Channel MOSFET,适用于需要控制正向电流的高电流应用,如电源开关和电机驱动。

**作用:**
- 控制正向电流,适用于需要 N—Channel 沟道的高电流模块。
- 在电源开关和电机驱动等领域中发挥关键作用。

**使用领域模块:**
1. **电源开关模块:** 用于构建可靠的正向电流开关电路,确保电源系统正常运行。
2. **电机驱动模块:** 适用于需要高电流控制的电机驱动系统。

**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **温度控制:** 注意器件工作时的温度,避免过热。
3. **阈值电压选择:** 根据应用需求选择适当的阈值电压。

如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。

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